分享高低溫循環(huán)測(cè)試的常規(guī)方式
高低溫循環(huán)測(cè)試(又名高低溫循環(huán)試驗(yàn)、高低溫試驗(yàn)等)主要是針對(duì)于電工、電子產(chǎn)品,以及其原器件,及其它材料在高溫、低溫的環(huán)境下貯存、運(yùn)輸,使用時(shí)的適應(yīng)性試驗(yàn)。
高低溫循環(huán)測(cè)試是指設(shè)定溫度從-50℃保持4個(gè)小時(shí)后,升溫到 +90℃,然后,在+90°保持4個(gè)小時(shí),降溫到-50℃,依次做N個(gè)循環(huán)。
工業(yè)級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)為-40℃ ~+85℃,因?yàn)闇叵渫ǔ?huì)存在溫差,為保證到客戶端不會(huì)因?yàn)闇囟绕顚?dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一致,內(nèi)部測(cè)試建議使用標(biāo)準(zhǔn)溫度±5℃C溫差來(lái)測(cè)試.
測(cè)試流程:
1、在樣品斷電的狀態(tài)下,先將溫度下降到-50℃,保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試,非常重要,因?yàn)橥姞顟B(tài)下,芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20℃以上溫度,所
以,在通電狀態(tài)下,通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試,必須先將其“凍透",再次通電進(jìn)行測(cè)試。
2、開機(jī),對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試,對(duì)比性能與常溫相比是否正常。
3、進(jìn)行老化測(cè)試,觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。
4、升溫到+90℃,保持4個(gè)小時(shí),與低溫測(cè)試相反,升溫過(guò)程不斷電,保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),4個(gè)小時(shí)后,執(zhí)行2、3、4測(cè)試步張。
5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。
如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài),則視為測(cè)試失敗。
參考標(biāo)準(zhǔn):
GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法